maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMB3T2R
Référence fabricant | EMB3T2R |
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Numéro de pièce future | FT-EMB3T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMB3T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMB3T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMB3T2R-FT |
RN4981,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1902,LF(CT
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RN1904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF(CT
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RN1906,LF(CT
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RN2902,LF(CT
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RN2904,LF(CT
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RN4901,LF(CT
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XC7A50T-1FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FGG484I
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XC6SLX150T-N3FG484C
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M2GL005-VFG400
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A42MX16-3VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F43C4N
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LCMXO2-4000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
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