maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN2904,LF(CT
Référence fabricant | RN2904,LF(CT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN2904,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN2904,LF(CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | US6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2904,LF(CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN2904,LF(CT-FT |
RN4906FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4907FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1907FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1910FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2905FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4981FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
EP2C35F484C8
Intel
EP2AGZ350HF40I3N
Intel
XC2VP30-6FFG1152C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel