maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN4981,LF(CT
Référence fabricant | RN4981,LF(CT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN4981,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN4981,LF(CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz, 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | US6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4981,LF(CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN4981,LF(CT-FT |
RN2903FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4905FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4906FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4907FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
A42MX16-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEA7N3F40I4N
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
A1020B-2PL44I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1CS324I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C20F400C8N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel