maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMB2T2R
Référence fabricant | EMB2T2R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EMB2T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMB2T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMB2T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMB2T2R-FT |
RN4991(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4981,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1907,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2903,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage