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Référence fabricant | ELL-4GG120M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-4GG120M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G |
ELL-4GG120M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 12µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 650mA |
Courant - Saturation | 800mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 380 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.055" (1.40mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-4GG120M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-4GG120M-FT |
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
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5CGTFD5C5F23C7N
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