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Référence fabricant | ELL-6GG680M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-6GG680M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G |
ELL-6GG680M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 68µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 410mA |
Courant - Saturation | 380mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 860 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.063" (1.60mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6GG680M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-6GG680M-FT |
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XA6SLX25-3FGG484Q
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Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40I3LN
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5SGXEB5R1F40I2N
Intel
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Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8L
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EP4SGX110HF35I4N
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