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Référence fabricant | ELL-6GG6R8M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-6GG6R8M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G |
ELL-6GG6R8M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.3A |
Courant - Saturation | 1.15A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 110 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.063" (1.60mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6GG6R8M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-6GG6R8M-FT |
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XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation