maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / EGL41GHE3_A/I
Référence fabricant | EGL41GHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-EGL41GHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
EGL41GHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 14pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGL41GHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EGL41GHE3_A/I-FT |
BYG24JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
JAN1N6642UB
Microsemi Corporation
JAN1N6642UBD
Microsemi Corporation
JANTX1N3647
Microsemi Corporation
JANTX1N4148UB
Microsemi Corporation
JANTX1N6642UBCC
Microsemi Corporation
JANTX1N6642UBD
Microsemi Corporation
JANTXV1N6642UB2
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D1031SH45TXPSA1
Infineon Technologies
A54SX16A-1TQ144I
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XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
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APA1000-CQ352M
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EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
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EP4SGX110HF35I3
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