maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JANTX1N6642UBD
Référence fabricant | JANTX1N6642UBD |
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Numéro de pièce future | FT-JANTX1N6642UBD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/578 |
JANTX1N6642UBD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 300mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 20ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 3-UB (3.09x2.45) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N6642UBD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTX1N6642UBD-FT |
EGP31G-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51A-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51A-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51B-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51B-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51C-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51C-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51D-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51D-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51F-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel