maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JANTXV1N6642UB2
Référence fabricant | JANTXV1N6642UB2 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTXV1N6642UB2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/578 |
JANTXV1N6642UB2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 300mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 20ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | UB2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N6642UB2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV1N6642UB2-FT |
EGP51A-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51A-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51B-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51B-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51C-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51C-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51D-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51D-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51F-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51F-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900I
Xilinx Inc.
XCKU040-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG901C
Xilinx Inc.