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ON Semiconductor EFC6612R-A-TF

Numéro de pièce MFG
EFC6612R-A-TF
quantité disponible
35230 Pièces
Prix de référence
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
EFC6612R-A-TF.pdf
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EFC6612R-A-TF Caractéristiques

Référence fabricant EFC6612R-A-TF
Numéro de pièce future FT-EFC6612R-A-TF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
EFC6612R-A-TF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 2.5W
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-SMD, No Lead
Package d'appareils du fournisseur 6-CSP (1.77x3.54)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EFC6612R-A-TF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange EFC6612R-A-TF-FT

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