maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / UT6J3TCR
Référence fabricant | UT6J3TCR |
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Numéro de pièce future | FT-UT6J3TCR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UT6J3TCR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | - |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 10V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-PowerUDFN |
Package d'appareils du fournisseur | HUML2020L8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UT6J3TCR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UT6J3TCR-FT |
ECH8664R-TL-H
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US6M2TR
Rohm Semiconductor
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