maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / ECH8619-TL-E
Référence fabricant | ECH8619-TL-E |
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Numéro de pièce future | FT-ECH8619-TL-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ECH8619-TL-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A, 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 93 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 20V |
Puissance - Max | 1.5W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 8-ECH |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ECH8619-TL-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ECH8619-TL-E-FT |
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