maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / CSD87335Q3D
Référence fabricant | CSD87335Q3D |
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Numéro de pièce future | FT-CSD87335Q3D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD87335Q3D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 15V |
Puissance - Max | 6W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerLDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-LSON (3.3x3.3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD87335Q3D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD87335Q3D-FT |
SI7909DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7909DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7911DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7911DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7922DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7922DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7925DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7925DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS902DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS903DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation