maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTB523YMT2L
Référence fabricant | DTB523YMT2L |
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Numéro de pièce future | FT-DTB523YMT2L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTB523YMT2L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 260MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VMT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB523YMT2L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTB523YMT2L-FT |
RN2110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2111ACT(TPL3)
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RN2112ACT(TPL3)
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RN1103ACT(TPL3)
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XA6SLX45-3FGG484Q
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APA450-FGG484
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
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