maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN1101ACT(TPL3)
Référence fabricant | RN1101ACT(TPL3) |
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Numéro de pièce future | FT-RN1101ACT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1101ACT(TPL3) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Package d'appareils du fournisseur | CST3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1101ACT(TPL3) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1101ACT(TPL3)-FT |
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Xilinx Inc.
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U1AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-9FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
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EP3SL340F1517I4LN
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Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6M132C
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