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Toshiba Semiconductor and Storage RN1422TE85LF

Numéro de pièce MFG
RN1422TE85LF
quantité disponible
59210 Pièces
Prix de référence
USD 0.0756
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RN1422TE85LF.pdf
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RN1422TE85LF Caractéristiques

Référence fabricant RN1422TE85LF
Numéro de pièce future FT-RN1422TE85LF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RN1422TE85LF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 800mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 50V
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 2.2 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce 65 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 300MHz
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur S-Mini
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1422TE85LF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RN1422TE85LF-FT

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