maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR921VJ0L
Référence fabricant | UNR921VJ0L |
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Numéro de pièce future | FT-UNR921VJ0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR921VJ0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1.5mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 125mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-89, SOT-490 |
Package d'appareils du fournisseur | SSMini3-F1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR921VJ0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR921VJ0L-FT |
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Xilinx Inc.
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C7N
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EPF10K50SQC240-1
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