maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN1103ACT(TPL3)
Référence fabricant | RN1103ACT(TPL3) |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN1103ACT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1103ACT(TPL3) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Package d'appareils du fournisseur | CST3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1103ACT(TPL3) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1103ACT(TPL3)-FT |
RN1426TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1427TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2413TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2422TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2427TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1406S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
Intel
5SGSMD3E2H29I2N
Intel
10AX027H4F34E3SG
Intel
5SGXEB9R1H43C2N
Intel
LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel