maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTB113ESTP
Référence fabricant | DTB113ESTP |
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Numéro de pièce future | FT-DTB113ESTP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTB113ESTP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 1 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SC-72 Formed Leads |
Package d'appareils du fournisseur | SPT |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB113ESTP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTB113ESTP-FT |
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