maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTC143EMT2L
Référence fabricant | DTC143EMT2L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DTC143EMT2L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTC143EMT2L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VMT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC143EMT2L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTC143EMT2L-FT |
RN2118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2315TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1305,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1308,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1316,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2316(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50-5VQ100C
Xilinx Inc.
EP3C25F256C8
Intel
XC5VLX50T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SG
Intel
EP3C40F324C7
Intel