maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTC115TMT2L
Référence fabricant | DTC115TMT2L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DTC115TMT2L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTC115TMT2L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VMT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC115TMT2L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTC115TMT2L-FT |
RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2117(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2315TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1305,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1308,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1316,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN020V2-CSG81I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC256-2N
Intel
5SGXMBBR3H43I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3L
Intel
XA7A50T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C5
Intel