maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / DSI35-12A
Référence fabricant | DSI35-12A |
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Numéro de pièce future | FT-DSI35-12A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DSI35-12A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 49A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.55V @ 150A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4mA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 180°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSI35-12A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSI35-12A-FT |
BYG23MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel