maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYG23MHE3_A/I
Référence fabricant | BYG23MHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-BYG23MHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BYG23MHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG23MHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG23MHE3_A/I-FT |
JANTX1N5621US
Microsemi Corporation
R5021010RSZT
Powerex Inc.
SD200SC100A1.T
SMC Diode Solutions
SD200SCU150A.T
SMC Diode Solutions
FR30J02
GeneSiC Semiconductor
UF27520070A1.T
SMC Diode Solutions
MBR3545
GeneSiC Semiconductor
1C5711.T
SMC Diode Solutions
1N6621US
Microsemi Corporation
EGP31A-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel