maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYG24DHE3_A/I
Référence fabricant | BYG24DHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-BYG24DHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BYG24DHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 140ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG24DHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG24DHE3_A/I-FT |
FR30J02
GeneSiC Semiconductor
UF27520070A1.T
SMC Diode Solutions
MBR3545
GeneSiC Semiconductor
1C5711.T
SMC Diode Solutions
1N6621US
Microsemi Corporation
EGP31A-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31A-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31B-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31B-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31C-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel