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Référence fabricant | DS1250W-100IND+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1250W-100IND+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1250W-100IND+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1250W-100IND+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1250W-100IND+-FT |
MR2A08ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AYS35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AYS35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
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A54SX16-1VQ100I
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5SGSMD5H2F35I3L
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A40MX04-FPL84
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
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