maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MR0A08BYS35
Référence fabricant | MR0A08BYS35 |
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Numéro de pièce future | FT-MR0A08BYS35 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR0A08BYS35 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-TSOP2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR0A08BYS35 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR0A08BYS35-FT |
71V124SA15TYG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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Intel