maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MR4A08BYS35
Référence fabricant | MR4A08BYS35 |
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Numéro de pièce future | FT-MR4A08BYS35 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR4A08BYS35 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-TSOP2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR4A08BYS35 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR4A08BYS35-FT |
71V124SA15TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
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5AGZME1H3F35C4N
Intel