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Référence fabricant | DS1250AB-70+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1250AB-70+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1250AB-70+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.75V ~ 5.25V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1250AB-70+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1250AB-70+-FT |
IDT71V124SA20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MCM69C432TQ20
NXP USA Inc.
MR2A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.