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Référence fabricant | MR4A08BCYS35 |
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Numéro de pièce future | FT-MR4A08BCYS35 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR4A08BCYS35 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-TSOP2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR4A08BCYS35 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR4A08BCYS35-FT |
71V124SA12TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA12TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel