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Référence fabricant | MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
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Numéro de pièce future | FT-MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 150ns |
Temps d'accès | 150ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85R256FPFCN-G-BNDE1-FT |
71V124SA10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel