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Référence fabricant | DS1245W-100IND+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1245W-100IND+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1245W-100IND+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1245W-100IND+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1245W-100IND+-FT |
MR0A08BYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AYS35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AYS35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel