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Référence fabricant | DS1225AB-150+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1225AB-150+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1225AB-150+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 150ns |
Temps d'accès | 150ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.75V ~ 5.25V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1225AB-150+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1225AB-150+-FT |
MR0A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ATS35C
NXP USA Inc.
MR0A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel