maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MR0A08BCYS35
Référence fabricant | MR0A08BCYS35 |
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Numéro de pièce future | FT-MR0A08BCYS35 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR0A08BCYS35 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-TSOP2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR0A08BCYS35 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR0A08BCYS35-FT |
IDT71024S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel