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Référence fabricant | MR4A08BYS35R |
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Numéro de pièce future | FT-MR4A08BYS35R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR4A08BYS35R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-TSOP2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR4A08BYS35R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR4A08BYS35R-FT |
IDT71024S15TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S15YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel