maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DN2450N8-G
Référence fabricant | DN2450N8-G |
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Numéro de pièce future | FT-DN2450N8-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DN2450N8-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 230mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 300mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-243AA (SOT-89) |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DN2450N8-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DN2450N8-G-FT |
PSMN1R8-40YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R9-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN2R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30YLE,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R2-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN3R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-40YSDX
Nexperia USA Inc.
PSMN3R7-25YLC,115
NXP USA Inc.
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel