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Référence fabricant | PSMN1R9-25YLC,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN1R9-25YLC,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN1R9-25YLC,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.05 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3504pF @ 12V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 141W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R9-25YLC,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN1R9-25YLC,115-FT |
BUK9Y19-55B/C2,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y22-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y22-30B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y25-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y25-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y27-40B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y29-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y30-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y30-75B/C2,115
Nexperia USA Inc.
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel