maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMT6017LFV-7
Référence fabricant | DMT6017LFV-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMT6017LFV-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMT6017LFV-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 65V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 36A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 891pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.12W (Ta), 39.06W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT6017LFV-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMT6017LFV-7-FT |
IXFH130N15X3
IXYS
IXFH150N25X3HV
IXYS
IXFH26N100X
IXYS
IXFH32N100X
IXYS
IXFH60N65X2-4
IXYS
IXFH76N15T2
IXYS
IXFH7N100P
IXYS
IXFH80N65X2-4
IXYS
IXFK32N100X
IXYS
IXFK52N100X
IXYS
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel