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Diodes Incorporated DMT6012LFDF-7

Numéro de pièce MFG
DMT6012LFDF-7
quantité disponible
33660 Pièces
Prix de référence
USD 0.218848
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMT6012LFDF-7.pdf
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DMT6012LFDF-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMT6012LFDF-7
Numéro de pièce future FT-DMT6012LFDF-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMT6012LFDF-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 9.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 900mW (Ta), 11W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur U-DFN2020-6
Paquet / caisse 6-UDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT6012LFDF-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMT6012LFDF-7-FT

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