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ON Semiconductor NTMFS4C06NBT1G

Name: NTMFS4C06NBT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMFS4C06NBT1G
Price: 0.258088 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (402 reviews)

Numéro de pièce MFG: NTMFS4C06NBT1G

quantité disponible: 29230 Pièces

Prix de référence: USD 0.258088

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NTMFS4C06NBT1G.pdf

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NTMFS4C06NBT1G Caractéristiques

Référence fabricant	NTMFS4C06NBT1G
Numéro de pièce future	FT-NTMFS4C06NBT1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NTMFS4C06NBT1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20A (Ta), 69A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1683pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN, 5 Leads
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4C06NBT1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NTMFS4C06NBT1G-FT

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