maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NTMFS4C027NT3G
Référence fabricant | NTMFS4C027NT3G |
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Numéro de pièce future | FT-NTMFS4C027NT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTMFS4C027NT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16.4A (Ta), 52A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C027NT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTMFS4C027NT3G-FT |
IPA60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPD60R145CFD7ATMA1
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IPD60R210CFD7ATMA1
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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