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Référence fabricant | DMT2004UFG-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMT2004UFG-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMT2004UFG-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 24V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.45V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1683pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.3W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT2004UFG-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMT2004UFG-7-FT |
DMT10H072LFDF-7
Diodes Incorporated
DMT6013LFDF-13
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SI5446DU-T1-GE3
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SIA430DJT-T4-GE3
Vishay Siliconix
ZXMP7A17GQTC
Diodes Incorporated
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel