maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMPH4025SFVWQ-7
Référence fabricant | DMPH4025SFVWQ-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMPH4025SFVWQ-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMPH4025SFVWQ-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.7A (Ta), 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1918pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.3W (Ta), 60W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount, Wettable Flank |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMPH4025SFVWQ-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMPH4025SFVWQ-7-FT |
NTMFS4C022NT1G
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NTMFS4C022NT3G
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