maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NTMFS4C025NT3G
Référence fabricant | NTMFS4C025NT3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NTMFS4C025NT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTMFS4C025NT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta), 69A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.41 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1683pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C025NT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTMFS4C025NT3G-FT |
IAUS300N08S5N012ATMA1
Infineon Technologies
IPA60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R210CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R115CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R140CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel