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Diodes Incorporated DMP56D0UFB-7

Numéro de pièce MFG
DMP56D0UFB-7
quantité disponible
20010 Pièces
Prix de référence
USD 0.102896
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMP56D0UFB-7.pdf
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DMP56D0UFB-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMP56D0UFB-7
Numéro de pièce future FT-DMP56D0UFB-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMP56D0UFB-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.58nC @ 4V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50.54pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 425mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquet / caisse 3-UFDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMP56D0UFB-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMP56D0UFB-7-FT

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