maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMS2220LFDB-7
Référence fabricant | DMS2220LFDB-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMS2220LFDB-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMS2220LFDB-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 10V |
Caractéristique FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipation de puissance (max) | 1.4W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type B) |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMS2220LFDB-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMS2220LFDB-7-FT |
DMN3065LW-13
Diodes Incorporated
DMN53D0LW-7
Diodes Incorporated
BSS84W-7-F
Diodes Incorporated
DMG1012UW-7
Diodes Incorporated
DMP2160UW-7
Diodes Incorporated
DMN63D8LW-13
Diodes Incorporated
2N7002W-7-F
Diodes Incorporated
BSS138W-7-F
Diodes Incorporated
DMN3065LW-7
Diodes Incorporated
DMP2004WK-7
Diodes Incorporated
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation