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Référence fabricant | DMP3018SFK-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP3018SFK-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP3018SFK-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4414pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2523-6 |
Paquet / caisse | 6-PowerUDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP3018SFK-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP3018SFK-13-FT |
TSM60NB041PW C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DMP32D4SW-7
Diodes Incorporated
DMN3065LW-13
Diodes Incorporated
DMN53D0LW-7
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BSS138W-7-F
Diodes Incorporated
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
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