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Référence fabricant | DMP2110U-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP2110U-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP2110U-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Preliminary |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 443pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP2110U-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP2110U-7-FT |
BSD314SPEH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSD816SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSF450NE7NH3XUMA1
Infineon Technologies
BSG0812NDATMA1
Infineon Technologies
BSH205G2VL
Nexperia USA Inc.
BSP135H6433XTMA1
Infineon Technologies
BSP296NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP320SH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSP612PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP615S2LHUMA1
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel