maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSH205G2VL
Référence fabricant | BSH205G2VL |
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Numéro de pièce future | FT-BSH205G2VL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BSH205G2VL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 418pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 480mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSH205G2VL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSH205G2VL-FT |
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A1020B-2PQ100C
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