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Nexperia USA Inc. BSH205G2VL

Name: BSH205G2VL
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: BSH205G2VL
Price: 0.05984 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (324 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSH205G2VL

quantité disponible: 41320 Pièces

Prix de référence: USD 0.05984

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Nexperia USA Inc.

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSH205G2VL.pdf

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BSH205G2VL Caractéristiques

Référence fabricant	BSH205G2VL
Numéro de pièce future	FT-BSH205G2VL
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
BSH205G2VL Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	418pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	480mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-236AB
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSH205G2VL Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSH205G2VL-FT

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