maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSP296NL6327HTSA1
Référence fabricant | BSP296NL6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSP296NL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
BSP296NL6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 152.7pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP296NL6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSP296NL6327HTSA1-FT |
APT80SM120B
Microsemi Corporation
APT80SM120S
Microsemi Corporation
APTC60DAM24CT1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM24T1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM35T1G
Microsemi Corporation
APTC60SKM35T1G
Microsemi Corporation
APTC80DA15T1G
Microsemi Corporation
APTC80SK15T1G
Microsemi Corporation
APTC90DAM60CT1G
Microsemi Corporation
APTC90SKM60CT1G
Microsemi Corporation
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel